Número de pieza del fabricante
FDD6530A
Fabricante
onde
Introducción
El FDD6530A es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alto rendimiento.
Características del producto y rendimiento
Alta capacidad de corriente de 21A Corriente de drenaje continuo (TA)
Baja resistencia de 32mohm @ 8a, 4.5V
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C
Velocidad de conmutación rápida y carga de puerta baja de 9NC @ 4.5V
Tecnología Rugged Powertrench® MOSFET
Ventajas de productos
Conversión de energía eficiente y baja pérdida de potencia
Operación confiable de alta temperatura
Paquete compacto y de montaje en superficie que ahorra espacio
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 20V
Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 8V
Capacitancia de entrada (CISS): 710pf @ 10V
Disipación de potencia: 3.3W (TA), 33W (TC)
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete robusto a 252AA
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conversión y conmutación
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo de interruptor
Convertidores DC-DC
Impulso del motor
Luz de las balastos de iluminación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Producto actual, no se planea la interrupción
Reemplazos y actualizaciones disponibles según sea necesario
Razones clave para elegir
Conmutación de encendido de alto rendimiento
Conversión de potencia eficiente
Operación confiable de alta temperatura
Paquete compacto y de ahorro de espacio
Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental
FDD6512AonsemiMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK