Institución: HBM representará el 35% de los procesos avanzados a fines de 2024
Según la firma de investigación de mercado Trendforce, la demanda de HBM muestra un rápido crecimiento en el mercado, junto con altas ganancias de HBM.Por lo tanto, Samsung, SK Hynix y Micron International aumentarán su inversión de inversión de capital y capacidad de producción.Se espera que para fines de este año, HBM representará el 35% de los procesos avanzados, mientras que el resto se utilizará para producir productos LPDDR5 (X) y DDR5.
Basado en el último progreso de HBM, Trendforce declaró que este año HBM3E es la corriente principal en el mercado, con envíos concentrados en la segunda mitad del año.SK Hynix sigue siendo el principal proveedor, y tanto Micron como SK Hynix usan 1 β El proceso NM, dos fabricantes han enviado nvidia;Samsung adopta 1 α El proceso NM se validará en el segundo trimestre y se entregará a mediados de año.
Además del aumento continuo en la proporción de la demanda de HBM, la capacidad de carga de una sola máquina de las tres aplicaciones principales de PC, servidor y teléfono inteligente ha aumentado, por lo que el consumo de procesos avanzados ha aumentado el trimestre a trimestre.Después de la producción en masa en las nuevas plataformas de Intel Sapphire Rapids y AMD Génova, solo DDR5 se puede utilizar para especificaciones de almacenamiento.Este año, la tasa de penetración de DDR5 superará el 50% para fin de año.
En términos de la nueva fábrica, la fábrica de Samsung tendrá una capacidad aproximadamente completa para fines de 2024. El P4L de la nueva fábrica se planea completarse para 2025, y el proceso de la fábrica de la línea 15 se convertirá de 1Y a 1nm β nm o superior;SK Hynix planea expandir su capacidad de producción M16 el próximo año, y el M15X también está programado para completarse para 2025 y poner en producción en masa para fin de año;La planta de China de Meguiar Taiwán reanudará la carga completa el próximo año, y la posterior expansión de la capacidad estará dominada por la planta estadounidense.La planta de Boise se completará en 2025 y se trasladará una tras otra, con producción en masa en 2026.
Trendforce señaló que debido al aumento de la producción de NVIDIA GB200 en 2025, con especificaciones de HBM3E 192/384GB, se espera que la producción de HBM casi se duplique, y varias fábricas originales pronto darán la bienvenida a la investigación y el desarrollo de HBM4.Si la inversión no se expande significativamente, los productos DRAM pueden ser escasos debido a los efectos de desplazamiento de la capacidad.
Además del aumento continuo en la proporción de la demanda de HBM, la capacidad de carga de una sola máquina de las tres aplicaciones principales de PC, servidor y teléfono inteligente ha aumentado, por lo que el consumo de procesos avanzados ha aumentado el trimestre a trimestre.Después de la producción en masa en las nuevas plataformas de Intel Sapphire Rapids y AMD Génova, solo DDR5 se puede utilizar para especificaciones de almacenamiento.Este año, la tasa de penetración de DDR5 superará el 50% para fin de año.
En términos de la nueva fábrica, la fábrica de Samsung tendrá una capacidad aproximadamente completa para fines de 2024. El P4L de la nueva fábrica se planea completarse para 2025, y el proceso de la fábrica de la línea 15 se convertirá de 1Y a 1nm β nm o superior;SK Hynix planea expandir su capacidad de producción M16 el próximo año, y el M15X también está programado para completarse para 2025 y poner en producción en masa para fin de año;La planta de China de Meguiar Taiwán reanudará la carga completa el próximo año, y la posterior expansión de la capacidad estará dominada por la planta estadounidense.La planta de Boise se completará en 2025 y se trasladará una tras otra, con producción en masa en 2026.
Trendforce señaló que debido al aumento de la producción de NVIDIA GB200 en 2025, con especificaciones de HBM3E 192/384GB, se espera que la producción de HBM casi se duplique, y varias fábricas originales pronto darán la bienvenida a la investigación y el desarrollo de HBM4.Si la inversión no se expande significativamente, los productos DRAM pueden ser escasos debido a los efectos de desplazamiento de la capacidad.